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采用第一原理方法,对纯Zr体系、He原子掺入到纯Zr体系的四面体间隙位和掺入到纯Zr体系的八面体间隙位等三种情况下体系的总能量、形成能以及键长进行了计算,且分析了杂质He原子的引入对于纯Zr体系结构的影响。计算表明,当He原子进入到纯Zr体系中时,He原子占据纯Zr体系四面体间隙与八面体间隙时的总能分别为-46193.7878 eV和-46193.5064eV,结合能分别为1.4791 eV和1.7605 eV。He占据纯Zr体系四面体间隙时产生的晶格畸变比占据八面体间隙时更小。He占据纯Zr体系四面体间