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利用密度泛函理论方法,通过优化太阳能材料CuXSe2(X=Al.Ga,In)的晶体结构,并计算CuXSe2能带带隙值.结果表明：GGA-PBE 方法在优化晶体结构时非常可靠,得到的理论值和实验值符合很好,但是在计算带隙时却比实验值小的多.
半导体材料CuXSe2(X=Al.Ga,In)电子结构的研究
【摘 要】
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利用密度泛函理论方法,通过优化太阳能材料CuXSe2(X=Al.Ga,In)的晶体结构,并计算CuXSe2能带带隙值.结果表明：GGA-PBE 方法在优化晶体结构时非常可靠,得到的理论值和实验值符合很好,但是在计算带隙时却比实验值小的多.
【机 构】
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信阳学院理工学院,河南信阳 464000;四川大学原子分子物理研究所,四川成都 610064 信阳
【出 处】
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第六届全国计算原子与分子物理学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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