高截止频率RFLDMOS结构设计

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cyhacmacyh007

【摘要】

：

截止频率是RFLDMOS在应用中的重要特征,本文分析了在正常工作情况下影响器件截止频率的主要因素,并主要讨论了LDMOS漂移区与沟道的参数对其内部寄生电容与跨导的影响,准确研究了在正常工作条件下,LDMOS工艺参数不同对其频率特性的影响趋势,并考虑器件内部发生的准饱和效应影响,提出了器件截止频率的优化方法。按此方法对文中给出的LDMOS进行参数优化,使其截止频率提高了80％,并通过TCAD软件Se

【作者】

：

Mao Ning 毛宁 Qian Qingsong 钱钦松 Sun Weifeng 孙伟锋 Shi Longxing 时龙兴

【机构】

：

National ASIC System Engineering Research Center,Southeast University,Nanjing 210096,China

【出处】

：

2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年11期

【关键词】

：

横向扩散金属氧化物半导体器件截止频率结构设计工艺参数功率放大器

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

超临界二氧化碳萃取鸵鸟油之制备与功效性评估

The wonderfuloil of ostrich coms from the fat of ostrich The benefits of their wonderfuloil in providingrelief from certain skin irritations and other discomforts such as:Sunbern,Dry Skin,Psoriasis,Sk

会议

化妆品工业鸵鸟油超临界二氧化碳萃取技术制备工艺功效评价

黄、白鸡蛋花挥发油超临界CO2萃取及成分比较

目的：分析比较老挝产黄、白两个品种鸡蛋花挥发油的含量及其化学成分，为鸡蛋花在化妆品香精中的应用及综合开发提供参考。方法：采用超临界CO2萃取法和水蒸气蒸馏法提取两个品种鸡蛋花挥发油，应用气相色谱-质谱联用技术对黄、白两个品种鸡蛋花鲜花挥发油化学成分进行鉴定，并分析比较，用归一化法测定其相对含量。结果：超临界CO2萃取收率比水蒸汽法更高。白鸡蛋花共鉴定出76种成分，黄鸡蛋花共鉴定出84种成分，两品种

会议

鸡蛋花挥发油超临界二氧化碳萃取技术化学成分化妆品香精

卷柏特征活性成分穗花杉双黄酮的提取分离工艺研究

目的：本研究以具有抗皮肤过敏、抗刺激和抗皱的卷柏特征活性成分穗花杉双黄酮为研究对象，选择乙醇提取后，以D101、AB-8、HPD750、HPD100、NKA、HPD450等型号的大孔吸附树脂为填料，分别以蒸馏水、20％乙醇、40％乙醇、60％乙醇、80％乙醇为洗脱液开展工艺研究，重点考察吸附量、吸附率、解吸率以及穗花杉双黄酮的纯度和回收率，筛选出有效富集穗花杉双黄酮的大孔树脂类型和洗脱条件。结论：

会议

化妆品工业卷柏穗花杉双黄酮提取分离工艺性能表征

宽禁带半导体材料和器件发展动态及军事影响分析

本文介绍了宽禁带半导体发展总体态势的表现：制造成本不断下降、应用范围迅速扩大、研发领域继续拓展。阐述了工艺技术的发展，并分析了宽禁带半导体材料和器件发展趋势，最后探讨了其对军事的影响：1、促进有源相控阵雷达性能获得跃升；2、推动制导探测技术和天基电子系统进一步发展。

会议

宽禁带半导体材料器件开发技术分析军事电子系统

工业生产中清洗液温度对硅片颗粒度的影响

本文介绍了RCA清洗液组成、特点及清洗原理，研究在不同温度下,RCA清洗的SC-1溶液对颗粒去除的影响,得出工业生产中较合适的清洗温度。

会议

半导体硅片表面颗粒度工业生产清洗液温度

双面擦片在抛光片最终清洗上的应用

本文通过对双面擦片工作原理及质量影响因素的分析，并对比两种不同的最终清洗方法，导出双面擦片在一定的条件下是一种可替代槽浸式最终清洗的有效方法。

会议

抛光片清洗工艺双面擦片效果评估

反向低击穿硅稳压二极管的制造

半导体技术的快速发展，电子线路元器件日趋低压化，担当保护电子线路安全、瞬间过压抑制的硅二极管的需求量与日俱增。本文提出一种保护电压范围低于10伏之高可靠低压保护硅稳压二极管的结构与制造工艺技术，该制造方法就是为了充分利用高掺杂浓度、浅扩散单边突变结之特点，在重掺杂P型硅单晶中扩散入n+型磷杂质，制造低反向击穿电压硅稳压二极管。

会议

硅稳压二极管低压保护结构分析制造工艺

超快恢复二极管软恢复特性研究

本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义，分析了软恢复特性的影响因素，着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法。结果表明：n缓冲层对二极管的反向恢复特性产生了较大的影响，本文只对缓冲层结构进行了初步的探讨。可以预见通过对n缓冲层进一步优化设计和改进工艺，二极管反向恢复软度可望得到进一步提高。

会议

快恢复二极管反向恢复特性软度因子缓冲层结构

恒流二极管特性分析

本文通过对恒流二极管结构及其特性的介绍，分析了恒流二极管工作及其电流维持恒定的原理；基于耗尽型MOS产品设计流片的CRD参数满足应用需求，对恒流二极管的应用及未来的市场前景进行了介绍和展望。

会议

恒流二极管产品设计性能参数应用框架

基于深槽刻蚀工艺的600V超结VDMOS器件

为了满足开关电源系统对功率器件的要求,基于深槽刻蚀工艺制作出了耐压为690 V左右的超结VDMOS器件,并通过Sentaurus TCAD软件和实测结果加以验证.该器件成功的突破了传统VDMOS器件的“硅限”,在保证击穿电压的同时,实现了特征导通电阻约为25 mΩ.cm-2.而且其动态性能和耐受性接近或超过了国外同类产品,如漏源额定电流值为10A的器件工作在雪崩态的电流峰值可达10.28 A,在体

会议

垂直双扩散金属氧化物半导体器件深槽刻蚀工艺性能评价开关电源系统

高截止频率RFLDMOS结构设计

与本文相关的学术论文