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Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比于催化剂生长和选区生长,自组织方法由于不需要催化剂和图形掩膜,具有生长工艺简单且不引入杂质的优势.但目前对于自组织生长氮化物半导体纳米线的成核机理的研究还不够深入,特别是对于AlN纳米线的研究还很初步.