论文部分内容阅读
本文利用AFM,PL谱等方法对In<,x>Ga<,1-x>As(0≤x≤0.5)自组织量子点的分子束外延生长及发光特性进行了系统研究,摸清了各种生长条件下量子点的形成质量.
3微米In(Ga)As/GaAs自组织量子点材料与发光特性
【摘 要】
：
本文利用AFM,PL谱等方法对InGaAs(0≤x≤0.5)自组织量子点的分子束外延生长及发光特性进行了系统研究,摸清了各种生长条件下量子点的形成质量.
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所—超晶格国家重点实验室(北京)
【出 处】
：
第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
：
2001年期
其他文献
本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器
在我们国家能源消耗当中,建筑耗能占据着极高的比重.所以节能建筑设计在建筑设计中获得了不断发展,能够对于存在的建筑能源浪费情况进行一定解决.文章利用建筑设计中的节能建
随着国家对节能减排问题的高度重视,人们对暖通设计的关注度也越来越高.而具体的暖通设计要求与工程项目用途息息相关,在暖通设计过程当中,会不断地产生新的问题,需要设计人
随着城市化进程的不断推进,城市人口不断增加,近些年来,城市高层建筑业越来越多,高层建筑技术研究也得到了社会的重视,高层建筑设计当中钢筋混凝土结构的加固技术也显得越来
随着社会经济的快速发展,我国城市化进程不断加快,各个城市随处可见高楼林立,而支撑高楼的都是隐藏在地下的桩基础,可见桩基础对于建筑的重要作用.社会各界特别是建筑设计及
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.
本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激光器结构,制作的氧化物条形激光器实现了室
随着我国经济的飞速发展,各种建筑工程不断增多,建筑施工技术也在不断进步.建筑电气工程作为建筑工程中一个重要的组成部分,人们对于电气自动化工程的建设投入了更多的关注,
简要介绍利用湿法工艺制作微型针的工艺过程,这种微型针可以穿透皮肤,增强药物的渗透性,有可能为透皮性给药技术提供一种较好的解决方法.
建筑行业作为我国支柱型产业，在经济发展中起着不可忽视的作用，而在我国的建筑中，无论是公共建筑还是民用住宅建筑都可能由于水的侵入而导致建筑的整体结构和使用功能被破坏，因此