SrxBi2S3拓扑超导研究的一些新进展

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hasolao

【摘要】

：

在典型的拓扑绝缘体Bi2Se3 中通过插入Sr,我们获得了高质量的SrxBi2Se3 超导拓扑绝缘体,其具有很高的超导体积分数,并且在空气中非常稳定,是研究拓扑超导电性的理想材料。在本报告中,我将简单介绍一下SrxBi2Se3 超导体的发现和拓扑性质的表征,并介绍其超导电性在压力下的演变行为和高压下超导电性的再生现象。

【作者】

：

张昌锦

【机构】

：

中国科学院强磁场科学中心,合肥 230031

【出处】

：

中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

拓扑超导超高压 Dirac电子表面态

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