我们成功开发了钙钛矿薄膜的低压化学气相沉积(LPCVD)制备方法.在低压条件下,通过温和的气相-固相(G-S)反应,有效解决了无机薄膜PbI2与有机基团CH3N3I之间超快插层反应速率问题,避免薄膜出现粗糙、多孔及不完全覆盖等缺陷,进而制备出薄膜质量高、衬底覆盖性佳、稳定性及重复性好的钙钛矿薄膜.分析研究表明,该薄膜具有极好的结晶性能、较高的光吸收系数及较长的载流子扩散长度;更为重要的是,LPCVD方法制备出的钙钛矿薄膜非常稳定,在高温(145℃)、高湿度(61％)下退火,最佳光电转换效率达到12.73％.同时,CVD法无需繁琐手套箱操作,也不需要昂贵真空设备,具有操作简单、可大面积放大等优点,将成为高质量钙钛矿电池材料制备中的一种重要手段.