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半导体激光器边模注入锁定的阈值条件
半导体激光器边模注入锁定的阈值条件
来源 :1999年全国时间频率学术报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:csh911229
【摘 要】
:
该文详细计算了实现边模注入锁定的阈值条件,分析了边模注入锁定的实现机制,指出在满足一定注入光功率及合适的增益条件下,可以实现这种大频差范围的注入锁定。通过实验研究了注
【作 者】
:
王晓辉
陈徐宗
侯继东
杨东海
王义遒
【机 构】
:
大学电子学系
【出 处】
:
1999年全国时间频率学术报告会
【发表日期】
:
1999年8期
【关键词】
:
注入锁定
模式竞争
阈值功率
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该文详细计算了实现边模注入锁定的阈值条件,分析了边模注入锁定的实现机制,指出在满足一定注入光功率及合适的增益条件下,可以实现这种大频差范围的注入锁定。通过实验研究了注入光功率与注入锁定建立过程的关系,得到了实现边模注入锁定的注入光的阈值功率为被注入锁定的激光器的的输出功率的0.8℅。
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