【摘 要】
：
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上生长GaN基LED外延层，改变3D生长层的温度，其余各层的生长条件相同，制成四个样品。然后分别采用X射线衍射摇摆曲线(XRD)，原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对样品进行分析，并将四个样品的LED结构外延片制作成300μm×300μm的标准小芯片，
【机 构】
：
Dalian Meiming Epitaxy Technology Co.Ltd.,Dalian 116600,China
【出 处】
：
第十三届全国LED产业发展与技术研讨会
论文部分内容阅读
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上生长GaN基LED外延层，改变3D生长层的温度，其余各层的生长条件相同，制成四个样品。然后分别采用X射线衍射摇摆曲线(XRD)，原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对样品进行分析，并将四个样品的LED结构外延片制作成300μm×300μm的标准小芯片，测试其反向电压(Vr)，反向电流(Ir)，抗静电能力(ESD)等参数。结果表明：在一定温度范围内，适当的降低3D层的生长温度，有利于GaN单晶的二维横向生长，减小位错密度，提高晶体质量，有效的提高了GaN基LED的性能。
其他文献
在三网融合的时代，各运营商都在积极扩展自身业务，竞争态势更加严峻。广电运营商应改变思路，突破原有运营模式，找出增值业务发展之路。本文就广电优势及新时代下的增值业务如何运营进行了分析，希望可以探索出适合广电系统的增值业务发展道路。
随着NGB的深入，广电网络建设在全国已经开展多年。各地广电纷纷在寻找最适合自己的网络建设之路。随着通信业的发展，广电也面临着巨大的挑战和机遇。广电如何更好的经营自己的主营业务和增值业务呢？广电如何协调好业务发展和网络建设呢？本文借助苏州广电业务发展和网络建设来探讨未来广电网络建设和发展，为广电的网络建设提供一种借鉴和思考。
本文主要介绍当前广电NGB网络建设中的城域网技术的应用探讨及发展趋势，以及新技术的应用给广电网络带来的优势。
个性化的业务推荐是根据用户的收视兴趣特点和业务操作行为，向用户推荐用户感兴趣的电视节目和增值业务运用。该系统是建立在海量数据采集，数学模型建立以及数据挖掘基础上的智能电视业务服务平台，解决了数字电视面临的业务增多，用户减少的矛盾，增加数字电视业务的黏着度，同时利用电视画面、手机以及互联网向用户推送，建立以用户为核心的数字电视业务资讯网。
HAN(宅域网)是新一代家庭网络,是融合业务向最前端延伸的呈现点,ITU-TG.hn是HAN新一代的统一接入技术标准.本文讨论G.hn标准的轮廓、系统架构和关键特征,并指出宅域网统一接入技术对业务融合网络的演进具有重要意义.
本文在对Android开发平台和移动应用开发的技术现状的研究与分析基础之上，提出了一种Android发行版应用(release.APK)自动生成系统的实现机制.该系统将能够在当前移动互联网与移动多媒体应用迅速发展的背景下，为移动应用开发者提供一种快捷、方便、可兼容多平台的应用开发技术途径，使得各类机构和用户能够量身定制自身的移动信息发布和移动业务处理应用.
针对目前常用的LED结构以及图形化衬底单元图形，通过软件设计与模拟，研究了衬底单元图形对光线传播的具体影响，同时具体分析了单元图形高度、底面半径以及相邻图形间距对芯片光提取效率的影响，结果得到单元图形高度1.5um、侧面倾角51度，相邻图形间距0.5um的优化参数设置.
宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空航天军事领域以及日常照明与显示等商业领域具有巨大的应用前景。目前较成熟的制备GaN材料的氢化物气相外延技术(HVPE)与金属有机化合物化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)外延技术都是在异质衬底上生长的外延
为了减少发光量子阱区的缺陷，缓解量子阱区的应力，减小极化效应，提高量子阱结晶质量，降低效率衰减，提高发光效率，本文采用了n-AlInGaN作为CART中的垒的新型LED结构，实验数据表明，由于Si的掺杂，采用n-AlInGaN作为垒层没有造成正向工作电压的提高，原子力显微镜结果显示，用n-AlInGaN作为CART中的垒能有效的截止底层产生的刃型位错。由于极化作用的减小，发现器件的发光效率得到了提
本文研究通过原位的反射式高能电子衍射(RHEED)和反射谱研究了在蓝宝石衬底上生长的InGaN纳米杆的生长机制, InGaN在蓝宝石上首先是二维生长,由于InGaN和蓝宝石的晶格失配,InGaN薄膜中有很大的应力,随着厚度的增加,达到一个临界厚度后应力释放,转化为三维岛状生长,随着生长的进行在这些岛上继续生长成纳米杆,通过控制生长时间,可以实现杆到薄膜的转变,另外通过使用AlN缓冲层的使用,在硅衬