【摘 要】
：
在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中掺入Bi原子会使得材料本身很多方面的性质发生改变,出现许多具有具大应用潜力的新现象,如:有效增强自旋轨道分裂,显著减小禁带宽度等[1-5],引发了国际
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室;DepartmentofMicrotech
论文部分内容阅读
在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中掺入Bi原子会使得材料本身很多方面的性质发生改变,出现许多具有具大应用潜力的新现象,如:有效增强自旋轨道分裂,显著减小禁带宽度等[1-5],引发了国际上对稀Bi半导体研究的巨大兴趣.目前研究主要集中在GaAsBi,InAsBi,InSbBi,GaSbBi.近期,我们组的王凯等人采用气态源分子束外延(GSMBE)的方法,首次生长出高质量的InPBi薄膜材料[6],并实现在1.4-2.7μm范围内的室温发光.作为一种新型的宽光谱材料,在作为制备光学相干层析技术(OCT)中的宽光谱光源等方面具有巨大的应用潜力.因此对于InPBi发光机制的研究具有非常强的实用价值.
其他文献
在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺人少量铋(Bi)原子形成的稀铋材料具有很多新奇的物理特性,如禁带宽度变窄、自旋轨道分裂能级增大[1,2],因此,能够拓展发光波长,有效抑制俄歇复合
In this talk, I will introduce how to synthesize and study the artificial 5d iridate thin films by the combo of oxide molecular beam epitaxy (OMBE) and angle-re
稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料具有大的带隙收缩和大自旋-轨道分裂能,能够拓展发光波长,提高器件的温度稳定性,提高发光效率,在近红外和中红外光电器件以及电子自旋器件等方面
暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的
理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,且同为Ⅳ族的Ge与Si基CMOS工艺兼容,以上特性使得张应变Ge成为构
新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表
Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体具有非常优越的光学性能，将其与Si衬底集成是实现IC电路光互联的理想途径[1].Ge由于其与Si材料的无限互溶以及与Ⅲ-Ⅴ族GaAs化合物半导体材料
基于半导体光电转换原理的红外光探测器以其能带可调、响应速度快、探测率高等特点成为红外探测领域的重要分支.本文提出的量子级联结构波长上转换器件基于低维半导体材料中
近些年来,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其在红外探测、激光器和太阳能电池等方面有着诱人的应用前景引起人们广泛关注.而纳米线异质结能够极大地拓宽研究者在材料组合上的选择空
Type-Ⅱ InAs/GaSb superlattices (T2SLs) have recently garnered significant interest and are now considered to be a potential alternative to HgCdTe technolog