浅谈环境认证和线缆发展

来源 :2011中国通信光电线缆产业峰会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaomayc
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  环境标志认证和政府绿色采豹的实施,是应于国际对碳排放的制约,但就政策而言,是可持续发展的践行,该标准发布和实施,是以国家政府部门引导,企业自愿的性质而进行产品绿色化行为。是有别于国家强制认证。目前,政府绿色采购清单界定与政府部门的预算内的采购行为,但可能有进一步扩展到国家工程,因而,线缆往绿色发展在不就将来会成为一种态势。新材料、新技术的深人应用,将进一步提升线缆企业的网际竟争力,完成可持续性发展进程。
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基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺,制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验,结果表明温度越高,热载流子退化越严重。以饱和电流退化10%为失效判据,采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计,自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂,为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明,NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而,在应力施加的过程中,一些参数发生了恢复。经过分析,认为正电性的界面态主导了参数的变化,也正是界面态的复合造成了参数的恢复。
采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比,有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一。
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化,发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有效改进SiGe的直流特性,同时增加器件的特征频率,使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。
通过分析惠斯通电桥中压敏电阻零点输出随温度变化的机理,从电桥和外部电路两个方面对电桥零点输出进行补偿,内部调整电阻电桥的阻值匹配,外部调整电桥平衡,并且采用双电桥结构差分输出补偿热零点漂移.设计了可供调节的电路系统,得到的零点失调输出范围控制在满量程输出的1.5%之内,为压阻式压力传感器的自行研究和应用打下了基础。
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响,需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型,将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比完成硼穿通的判定。依据这一模型优化热氧化条件,有利于改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通。
通过CCD的60Coγ射线与高能电子辐照试验,研究了器件的电离总剂量效应,从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上,对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Coγ射线辐照试验。结果表明,采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平。
研制了双端口SRAM单粒子效应检测系统,并对IDT公司生产的3种双端口SRAM(IDT7024L35GB、IDT7025L35GB、IDT7006L20FB)进行了单粒子效应评估试验,得到了器件的抗辐射数据,为卫星型号选用和加固设计提供了依据。
2010年,随着国内运营商3G建设的基本完成,运营商纷纷加快了FTTH部署,使得软光缆市场继续呈现蓬勃的发展趋势,此外光组件市场和特种光缆应用也加快了软光缆的应用。本文介绍了软光缆的概念,产业的发展现状和各级市场容量分析和预测,最后指出了软光缆技术新的发展方向。
烽火通信QC小组:大尺寸光棒拉丝生产小组在2010年的生产过程中,坚持“精心制造、勇于创新、持续改进”理念,严格拉丝过程控制,全面实现了大尺寸光棒的高速高质量生产,并通过消化吸收改进,改善了原有外方设备结构设计的缺陷,实现了高温炉等关键部件的国产化,有效提升了生产技术水平,光纤拉制速度达到2000m/min。该小组成果经向公司推广使用后,有力提升了光纤的产出效率,大幅提高了先纤的产品质量,当年即为