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用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了(Gd1-xDyx)5Si4(x=0、0.1、0.125、0.15)和(Gd1-xTbx)5Si4(x=0.1、0.125)合金样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1.3T)条件下样品的磁热效应曲线(△Tad-T);结果表明,用稀土金属Dy、Tb分别部分替代Gd5Si4合金中的Gd原子,不能增强合金的磁热效应,但可在333~300K范围改变材料的居里温度,且磁热效应峰值范围变宽.