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基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中，导电细丝模型被广泛接受，信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态来实现。
阻变存储器中不同类型导电细丝的特性研究
【摘 要】
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基于电阻开关效应(RS effect)的电阻型随机存储器(RRAM)具有高速度、高密度、低功耗等优点，近年来引起了人们的广泛关注。在众多物理模型中，导电细丝模型被广泛接受，信息存储通过导电细丝的形成和断裂引发的两个电阻态来实现。
【机 构】
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清华大学物理系,北京,100084 中科院物理所,北京,100190
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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会议
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