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本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中，紫外量子点利用了交替通断源的方法，而绿光量子点利用了生长中断的方法。
InGaN量子点的MOVPE生长
【摘 要】
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本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中，紫外量子点利用了交替通断源的方法，而绿光量子点利用了生长中断的方法。
【机 构】
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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/信息科学与技术国家实验室,北京 100084,中国
【出 处】
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2011全国光电子与量子电子学技术大会
【发表日期】
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2011年6期
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