【摘 要】
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采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气压及溅射功率下得到的薄膜的成分,比较了不
【机 构】
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上海工程技术大学材料工程学院, 上海 201600
【出 处】
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第十六届华东六省一市热处理学术年会
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采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气压及溅射功率下得到的薄膜的成分,比较了不同热处理温度下的薄膜的组织和相.结果表明:采用射频在硅基片上溅射Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,薄膜成分与靶材成分相近,溅射时,氩气工作压强对薄膜成分有一定影响,溅射影响不大,溅射功率对薄膜成分有较大的影响;薄膜经450℃退火2h后,已经形成一定的晶态结构,薄膜经600℃退火2h后,晶化程度提高.
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