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综述了本实验室近期对离子束溅射自组装生长Ge／Si量子点的研究进展。着重介绍了沉积温度，Ge层沉积量和退火过程影响着Ge量子点尺寸和形貌的演变;Si隔离层中的应变调制了上层Ge量子点的生长。
溅射自组装Ge/Si量子点的生长和演变研究
【摘 要】
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综述了本实验室近期对离子束溅射自组装生长Ge／Si量子点的研究进展。着重介绍了沉积温度，Ge层沉积量和退火过程影响着Ge量子点尺寸和形貌的演变;Si隔离层中的应变调制了上层Ge
【机 构】
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云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所，昆明，650091 昆明理工大学冶金与能源工程学院，昆明，650093
【出 处】
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首届云南省科协学术年会
【发表日期】
：
2011年期
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