【摘 要】
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在新型二维材料开发与性质应用研究方面,行之有效的一种策略是通过范德华力相互作用制备新型单层或多层材料.在本文中,基于密度泛函理论对过渡金属二硫属化物(TMDs)(包括MoS2
【机 构】
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南开大学新能源材料化学研究所,天津300071
【出 处】
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第七届国际分子模拟与信息技术应用学术会议
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在新型二维材料开发与性质应用研究方面,行之有效的一种策略是通过范德华力相互作用制备新型单层或多层材料.在本文中,基于密度泛函理论对过渡金属二硫属化物(TMDs)(包括MoS2,WS2,MoSe2以及WSe2)与单层MXene材料(以Sc2CF2为例)构成的新型二维材料进行了性质研究.与单独的TMD与Sc2CF2单层材料相比,TMD-Sc2CF2复合材料会变为间接半导体,能带间隙在0.13-1.18eV之间.更重要的是,TMD-Sc2CF2的价带项与导带底分别在Sc2CF2与TMD单层上,说明TMD-Sc2CF2材料为第二类能带偏移半导体.利用拉伸/压缩的方法可以调节TMD-Sc2CF2复合材料的带隙.可调的能带结构使得TMD-Sc2CF2复合材料具有良好的电子器件设计的应用前景.
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