【摘 要】
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采用通用有效介质(GEM)方程计算了Mo-ZrO2金属陶瓷电导率,研究了组份、温度和孔隙率对金属陶瓷电导率的影响.结果表明：Mo-ZrO2金属陶瓷与Mo金属相体积分数可用GEM方程进行描述,Mo-ZrO2金属陶瓷的临界体积分数0.84,方程指数t为2.51.GEM方程计算的金属陶瓷的电导率结果与实际测量结果基本一致.在Mo金属相含量较高时,金属陶瓷的电导率随着温度的升高而降低,金属陶瓷的电导率变化
【机 构】
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Shagang School of Iron and Steel,Soochow University,Suzhou 215021;Shanghai Key Lab.of Modern Metallu
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采用通用有效介质(GEM)方程计算了Mo-ZrO2金属陶瓷电导率,研究了组份、温度和孔隙率对金属陶瓷电导率的影响.结果表明：Mo-ZrO2金属陶瓷与Mo金属相体积分数可用GEM方程进行描述,Mo-ZrO2金属陶瓷的临界体积分数0.84,方程指数t为2.51.GEM方程计算的金属陶瓷的电导率结果与实际测量结果基本一致.在Mo金属相含量较高时,金属陶瓷的电导率随着温度的升高而降低,金属陶瓷的电导率变化主要受Mo金属相电导率变化的影响；在Mo金属相含量较低时,金属陶瓷呈现Mo金属相电子导电和与ZrO2陶瓷相离子导电的混合导电机制.金属陶瓷的相对密度或孔隙率对电导率有很大影响,提高烧结温度和延长保温时间,可提高金属陶瓷的电导率.
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通过正交实验对Mg2Ni合金铈转化处理工艺进行了研究,结合SEM,EDS分析了膜层的表面形貌,并利用Tafel极化曲线,电化学阻抗谱(EIS)等分析手段对膜层性能进行了测试,并获得了室温下(25±5℃)最好的成膜条件：Ce(NO3)3浓度为0.05mol/L,pH值为4,镀膜时间为10min,成膜促进剂的添加量为2ml/L.结果表明,采用以Ce(NO3)3为主要成分的酸性处理液,可以在Mg2Ni合
对利用三高石墨坩埚和CaZrO3坩埚真空感应熔炼TiFe基储氢合金展开了对比研究.用ICP原子发射光谱分析仪分析合金的化学成分,并用Leea金相显微镜、扫描电子显微镜、XRD衍射仪分析合金的金相组织、表面形貌、微区元素分布和物相结构,最后测定了合金的吸放氢PCT曲线.结果表明：CaZrO3坩埚熔炼TiFe合金的氧含量与三高石墨坩埚熔炼合金的氧含量相当且未见增碳,但三高石墨坩埚熔炼合金的碳含量为22
本文利用水热法制备了SnO2粉末及掺杂不同稀土离子的SnO2粉末.通过XRD和气敏测试仪对其结构和性能进行了表征和测试.XRD结果显示所制备的SnO2粉末呈四方金红石结构,稀土离子的掺入并没有改变SnO2的晶体结构,也没有新晶相的出现.气敏测试结果显示掺杂镧的SnO2样品(SnO2∶La)对乙醇有较高的气敏性且SnO2∶La的灵敏度随着乙醇浓度的增加而增加,随温度的升高呈现波动状,且当温度在250
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研究了添加Ni对高温感应熔炼法制备的La2Mg17贮氢合金的结构和电化学性能的影响.经球磨后XRD分析表明：随着球磨时间的增加,电极合金的衍射强度降低,衍射峰宽化,球磨时间达到100h时,晶体结构几乎全部转变为非晶结构.电化学测试显示：球磨制备的La2Mg17+200wt.％ Ni电极贮氢合金在首次循环后即可达最大放电比容量,合金具有较好的活化性能；电极合金的放电比容量约为350mAh/g,循环容
本文以钛酸丁酯、硝酸镧和氟化钠为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了纳米二氧化钛和多种不同氟-镧共掺杂纳米Ti02光催化剂.实验制备了氟镧百分摩尔比分别为1∶5、1.5∶5和2∶5的三组样品,每组样品分别在500℃、600℃和700℃下进行焙烧.XRD测试结果表明：500℃焙烧的纯TiO2和氟-镧共掺杂的TiO2粉末均为锐钛矿型TiO2,且掺杂后催化剂的晶粒尺寸均变小；当掺镧的量和煅烧温度相同的情况下
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