【摘 要】
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提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET在超低温环境下的特性.该文在BSIM模型基础上,对MOSFET阈值电压随温度变化方程进行修正,采用Verilog-A语言进行描述,实现了模型在商用EDA工具中可用.模型采用超低温(77K)下90nm工艺MOSFET器件实测数据进行验证,测量和模型仿真所得阈值电
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 杭州 310037
【出 处】
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中国电子学会电路与系统分会第二十六届年会
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提出了一个改进的MOSFET超低温阈值电压模型.MOS器件在超低温环境在会出现阈值电压偏移等特性,标准的BSIM模型不能准确表征MOSFET在超低温环境下的特性.该文在BSIM模型基础上,对MOSFET阈值电压随温度变化方程进行修正,采用Verilog-A语言进行描述,实现了模型在商用EDA工具中可用.模型采用超低温(77K)下90nm工艺MOSFET器件实测数据进行验证,测量和模型仿真所得阈值电压有很好吻合.
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