ReS₂作为一种新型的过渡金属二硫属化物（TMDs）引起越来越多研究者的兴趣。ReS₂表现出较强的层间去耦合作用,这将直接导致其层间作用力（范德华耦合作用）非常弱。基于此,我们认为ReS₂有可能在锂离子电池领域表现出优异的电化学性能。我们利用CVD的方法直接在三维石墨烯（3DGF）的表面原位生长出超均匀分布的ReS₂纳米墙（V-ReS₂）。这种纳米墙结构极大程度上利用了ReS₂极弱的层间范德华耦合作用和各向异性,将更多的硫活性位点暴露出来,使其即使在较高的电流密度下仍能保持优异的循环稳定性。充放电测试发现,在高电流密度充放电的过程中(1000mA·g^-1),V-ReS₂/3DGF电极材料的比容量即使在循环500周以后仍能保持在200mA·h·g^-1以上,并始终保持近100%的库伦效率。另外,我们通过对比水平和垂直不同纳米结构ReS₂的锂电性能,也进一步证实了ReS₂的各向异性在构筑纳米结构中的重要意义。