一种厚耗尽层Si探测器的研制

来源 :第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：radeon0118

【摘要】

：

本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。这种探测器的最突出优点是在较低的偏压下(例如150伏)可以得到较厚的耗尽层(例如4mm).测量结果显示，对207Bi内转换电子源975.6KeV峰的能量分辨为大约30KEV.另外，这种探测器反向漏电流小(150偏压下其反向漏电流典型值小于20nA)，可经受高温(60℃)的考验。

【作者】

：

谭继廉卢子伟张金霞李存瑶田大宇宁宝俊张录

【机构】

：

中国科学院近代物理研究所兰州730000 北京大学微电子所北京100871

【出处】

：

第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

【发表日期】

：

2008年3期

【关键词】

：

厚耗尽层叠层结构平面工艺 Si探测器性能测试能量分辨反向漏电流

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