【摘 要】
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高居里温度高磁导率MnZn铁氧体材料开发完成并量产达成:材料居里温度高、饱和磁通密度高,阻抗特性优异;材料在60-100℃存在磁导率低谷,此温度范围是器件正常使用温度,可能会造成抗EMI的不良,后续会持续改善。
【出 处】
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第八届中国功率变换器磁元件联合学术年会
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高居里温度高磁导率MnZn铁氧体材料开发完成并量产达成:材料居里温度高、饱和磁通密度高,阻抗特性优异;材料在60-100℃存在磁导率低谷,此温度范围是器件正常使用温度,可能会造成抗EMI的不良,后续会持续改善。
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