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该文利用超高真空化学气相沉积系统（UHV／CVD）生长了锗硅外延层。利用二次离子质量谱仪（SIMS）对外延层中锗的偏聚进行了研究。初步建立了应力应变型锗偏聚的数学模型。
UHV／CVD生长Si<,1-X>Ge<,X>／Si合金锗偏聚的研究
【摘 要】
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该文利用超高真空化学气相沉积系统（UHV／CVD）生长了锗硅外延层。利用二次离子质量谱仪（SIMS）对外延层中锗的偏聚进行了研究。初步建立了应力应变型锗偏聚的数学模型。
【机 构】
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大学硅材料重点实验室(杭州)
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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