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Ultrasmall Cu Interspersed MoS2 Nanoflowers with Intensified Efficiency for CO2 Electrochemical Redu
【机 构】
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Institute of Nanoscience and Nanotechnology, College of Physical Science and Technology,Central Chin
【出 处】
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2016光催化中青年学者论坛暨中国感光学会光催化专业委员会2016年学术年会
【发表日期】
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2016年8期
其他文献
硅是一种常见的窄带隙半导体，具有较宽的光谱吸收范围，在光电催化领域引起了广泛关注。然而，由于容易氧化钝化和光生载流子复合率高等问题，硅的光电催化应用受到了限制。如何提高硅材料在水溶液中的稳定性，促进光生载流子的分离，是当前硅纳米材料在光电催化领域应用的关键科学问题。通过电感耦合等离子刻蚀结合化学刻蚀法制备出有序的硅纳米线-微米柱阵列电极，这种多级结构阵列电极不仅能够减少光的反射，而且促进光生电子迁
作为非金属半导体材料,石墨相氮化碳(g-C3N4)不仅具有合适的带隙,而且还具有良好的物理化学性质,如良好的热稳定性,优良的光电性质,强抗氧化能力等[1].因此,g-C3N4已广泛应用于光催化降解、光解水、二氧化碳还原等领域.众所周知,g-C3N4的导带(CB)位置约-1.3 eV,表明其CB位置对于光解水产氢是可行的.然而,g-C3N4价带(VB)的位置约1.4 eV,其还不足以将OH-氧化成·