【摘 要】
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本文介绍了作者新开发的一种流通环节冲击和振动烈度监控新产品,论述了基本原理和结构,分析了跌落冲击标定实验结果,获得了可用于不同易损度商品的加速度监控参数.该产品的问世,使原先仅在包装动力学研究中采用而系统极为复杂昂贵的流通环境监测进入了实用化阶段,具有很好的工程价值和拓展应用空间.
【机 构】
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中嘉包装制品有限公司,杭州,310005 浙江大学,杭州,310027
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本文介绍了作者新开发的一种流通环节冲击和振动烈度监控新产品,论述了基本原理和结构,分析了跌落冲击标定实验结果,获得了可用于不同易损度商品的加速度监控参数.该产品的问世,使原先仅在包装动力学研究中采用而系统极为复杂昂贵的流通环境监测进入了实用化阶段,具有很好的工程价值和拓展应用空间.
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制备出应用于Si基薄膜电池的绒面MOCVD-ZnO薄膜,并尝试相应的CHCOOH湿法刻蚀表面处理。结果表明,处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。
本文首次在AlO衬底上引入ZnO-AlO固溶层,并在该衬底上用金属源化学气相外延法(MVPE)生长出了高质量的ZnO单晶厚膜(10微米)。介绍了一种在C面蓝宝石衬底上引入ZnO-Al203固溶层的方法。用双晶X射线衍射仪对样品进行了θ-2θ和rocking curve测量。与直接在C面蓝宝石衬底上生长的ZnO厚膜样品相比,引入ZnO-AlO固溶层可明显提高ZnO单晶厚膜择优取向一致性和晶体质量。
本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄膜特性的影响。实验发现,光照可以改善薄膜的结晶质量和光学质量,并且光辅助条件下生长的薄膜具有更大的晶粒尺寸和较低的本底载流子浓度。分析其原因主要是由于光辅助有助于改善源的分解效率,并可抑制非故意引入的氢的掺
通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上制备出了MgZnO p-n同质节。并对它的各种特性进行了测试与分析。样品的开启电压约为4.0V,结特性良好。对同质节中n型与P型ZnO层的电学特性比较发现,n型层的电阻率很小,载流子浓度很大;而P型层的电阻率却大幅度的增加,载流子浓度较n型层小了一个数量级。在n型与P型层的光致发光(PL)光谱中可以发现,两个样品在370nm处都存在着明显的由
制作了GaN基多量子阱激光器,实现了室温连续激射。以(0001)面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD))设备上生长激光器外延片,制作了条宽2.5μm、腔长800μm的脊形波导激光器管芯,测试了激光器在室温下的直流电学和光学特性,21℃直流连续激射的阈值电流115mA,阈值电压10.5V。阈值电流密度5.75KA/cm,注入1.3倍阈值电流下输出功率9.6mW,斜率效率0.22W/A
采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,纳米线上端变直;纳米线直径为40-80nm,长度为0.5-2μm;纳米线顶端有球状In点,说明其生长机理为气-液-固(V-L-S)。透射电子显微镜(TEM)结果显示,纳米线为闪锌矿和纤维锌矿两种结构交替生长的结构。电子衍射
近几年来,红外探测器得到迅速发展。随着需求的发展必然会提出既要功耗低、体积小、重量轻,又要有高性能价格比,而且使用方便的要求。因此非致冷红外探测器获得了巨大发展的动力。InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、光亮平整的表面,稳定性好,是一种短波红外探测器材料,因此可以利用InGaAs/InP材料体系制备红外探测器。而且由于外延层与衬底品格匹配,可以利用先进的生长
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上生长InGaAs材料。采用两步生长法制备InGaAs材料,研究低温生长的缓冲层In组分对InGaAs结晶质量的影响;探讨缓冲层厚度对InGaAs应力的影响;分析缓冲层生长温度对InGaAs光致发光特性的影响。
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采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品c在2μm厚GaN中间隔插入两AlN薄层,然后对样品进行了拉曼和光荧光测试分析。结果表明,随着插入层数的增加,GaN材料的E-high峰位逐渐接近体GaN材料的E-high峰位(无应力体GaN材料的E-high峰位为568cm),即GaN材料的应力