硫化锌薄膜直流场致发光中多声子跃迁

来源 :全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sk_only
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研究了掺铒硫化锌薄膜中,温度对直流场致发光发射谱半宽强度、峰值位置及激发态寿命的影响,探讨了多声子过程在这种材料EL中的重要性。实验结果表明:⒈场致发光谱线强度,在80°K—250°K间,温度上升,谱线强度增加。⒉对于激发态寿命,按照热电子直接碰撞的观点认为,能级激发态的发光强度与具有激发能的电子数有关,因而与外加电压有一定的关系。当能级处于激发态时,存在着辐射与天辐射的竟争。⒊场致发光膜中钼离子各线簇半宽度随温度上升而增宽,但其程度有所差别,且峰值位置略有位移。(韩理洁摘)
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