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本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的能量来越过势垒,在偏压适中时,可以达到相当大的自旋极化率,在没有绝缘层的情况下,选择合适的半导体例如AlGaAs/GaAs,由于金半接触形成的肖特基势垒起到了自旋相关势垒的作用,同样可以获得可观的自旋极化率.