【摘 要】
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本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidTherma1Annealing)处理气氛,研究气氛对洁净区和氧沉淀形成的影响.调查表明在N2、Ar两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度、增
【机 构】
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有研半导体材料股份有限公司,100088
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本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidTherma1Annealing)处理气氛,研究气氛对洁净区和氧沉淀形成的影响.调查表明在N2、Ar两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度、增加氧沉淀密度.但是与Ar气氛相比,N2气氛更有利于获得较薄的洁净区和高密度的氧沉淀.另外还发现N2气氛中O2比例对洁净区的形成有显著影响.O2比例超过了2％后,硅片内不会有洁净区和氧沉淀的生成,在O2比例低于2％时,洁净区厚度和氧沉淀密度不受O2比例的影响.基于硅片表面氧化导致自间隙原子的注入和氮化导致空位注入的基本原理,比较了不同RTA气氛下硅片中空位分布,进而解释了气氛对洁净区和氧沉淀形成的影响.
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