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该文采用了低压MOCVD原位知组织生长的方法在有V形槽的衬底上外延生长获得了AlGaaAs/InGaAs/InGaAs/AlGaAs半导体纳米管结构,纳米管的横截面TEM像清楚显示了无位错的半导体纳米管结构,光荧光光谱显示了这种准一维的纳米管结构光荧光信号,表明该结构的晶体质量的完整性。