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Time-resolved photoluminescence spectrum study of InGaNGaN multiple quantum well grown on silicon

来源 :第十八届全国凝聚态光学性质学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anchor1989

【作 者】

：

Tao Lin Yingkang Chen Xiaodong Jiang Baijun Zhang Zhi Ren Qiu Lingyu Wan Zhe Chuan Feng 

【机 构】

：

Laboratoryofoptoelectronicmaterials&detectiontechnology,GuangxiKeyLaboratoryfortheRelativisticAstrop

【出 处】

：

第十八届全国凝聚态光学性质学术会议

【发表日期】

：

2016年8期

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