【摘 要】
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近期宽禁带半导体材料的研究和突破带动了各种器件的发展和应用;GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器,得到了
【机 构】
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传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
【出 处】
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2005年全国光电技术学术交流会暨第十七届全国红外科学技术交流会
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近期宽禁带半导体材料的研究和突破带动了各种器件的发展和应用;GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器,得到了人们的极大关注.首先,简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并介绍了紫外探测的部分应用.然后对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些介绍.
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