Morphological characterization of selectively overgrown GaN via lateral epitaxy

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LINGER123456

【摘要】

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ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＧａＮｈａｓａｔｔｒａｃｔｅｄａｌｏｔｏｆｒｅｓｅａｒｃｈａｔｔｅｎｔｉｏｎｂｅｃａｕｓｅｉｔｈａｓｌｏｗｅｒＯｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ,ｌａｒｇｅｅｌｅｃｔｒｏｎｓａｔｕｒａｔｉｏｎｖｅｌｏｃｉｔｙａｎｄａｌａｒ IntroductionGaNhasattractedalotofresearchattentionbecauseithaslowerOhmiccontactresistance, largeelectronsaturationvelocityand

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

2001年04期

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