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利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiB<,3>O<,6>晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法.
BiBO晶体的褐色缺陷
【摘 要】
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利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiBO晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法.
【机 构】
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青岛大学物理系(山东青岛市) 山东大学晶体材料国家重点实验室(山东济南)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2004年10期
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