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5. Electronic characteristics of nitrogen-doped ZnO pn homojunction grown on sapphire substrates

Electronic characteristics of nitrogen-doped ZnO pn homojunction grown on sapphire substrates

来源 :第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：acmilanno1

【作 者】

：

S.J.Jiao Y.M.Lu Z.Z.Zhang D.Z.Shen B.Yao J.Y.Zhang B.H.Li X.W.Fan 

【机 构】

：

Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun,13003

【出 处】

：

第六届国际氧化锌及相关材料研讨会

【发表日期】

：

2010年4期

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