【摘 要】
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在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化p型非晶硅薄膜,研究了不同射频功率对氢化p型非晶硅薄膜性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,湖北武汉430070
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在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化p型非晶硅薄膜,研究了不同射频功率对氢化p型非晶硅薄膜性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱,并利用台阶仪测试出薄膜的厚度.结果表明,p型非晶硅薄膜的透过率与射频功率密切相关,p型薄膜的电导率呈现出先增大后减小规律,在射频功率达到150W时,薄膜的电导率达到4.46×10-3S/cm.
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