论文部分内容阅读
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格常数明显减小,体系总能量降低,掺杂后带隙随着N含量的增加而略有变化.
氮掺杂对InSb电子结构的影响
【摘 要】
：
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格常数明显减小,体系总能量降低,掺杂后带隙随
【机 构】
：
东华大学应用物理系,上海松江大学城,人民路2999号,201620
【出 处】
：
第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010)
【发表日期】
：
2010年8期
其他文献
We employed first-principles calculations to investigate the field emission characterictics of single-walled ZnO nanotubes (SWZONTs) in the either armchair or z
会议
4H-SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点,在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景.目前
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为
会议