0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计

来源 :浙江省电子学会2012学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiertimer

【摘要】

：

　　在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μmCMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MO

【作者】

：

ZHANG Hai-peng WANG Yang LI Hao 张海鹏汪洋李浩

【机构】

：

School of Electronics Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou Zhejiang 310018, China

【出处】

：

浙江省电子学会2012学术年会

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

CMOS 高增益射频功率功率放大放大器电路自偏置共源共栅结构功率附加效率

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　　在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μmCMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化.设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49％,功率增益达到32dB.

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