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本文研究了SiC/Ti复合材料界面反应区厚度与热暴露温度、时间的关系,确定了界面反应区的长大规律.结果表明,在同一温度下,界面反应区厚度与热暴露时间呈抛物线关系,反应区长大是扩散控制的,即.x=kt1/2+x0,温度越高,界面反应区长大速度越快,反应区长大速率常数与温度之间遵循Arrhenius定律.