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本文根据夜天光的能量和光谱、微光成像的物理机理和技术特征分析了提高微光成像性能的技术途径，并对四种微光成像器件--背照CCD成像器件(BCCD-Back-IlluminatedCCD)、像增强CCD(ICCD-Intensifier CCD)成像器件、电子轰击CCD成像器件(EBCCD-lectron Bombarded CCD)成像器件、电子倍增CCD成像器件(EMCCD-Electron Multiplying CCD)成像器件进行了比较，包括响应波长和量子效率(QE)、信噪比(SNR)等方面，综合分析有如下结论：(1)传统的基于电真空技术的微光图像增强器正在向基于CCD成像器件的微光成像技术发展。(2)基于CCD成像器件的微光成像技术很可能将成为下一代微光成像技术，特别是电子倍增CCD成像器件(EMCCD)技术。(3)除单光子探测性能外，电子倍增CCD成像器件(EMCCD)的性能全面优于电子轰击CCD成像器件(EBCCD)和像增强CCD成像器件(ICCD)。(4)在需要单光子探测的应用中，电子轰击CCD成像器件(EBCCD)和像增强CCD成像器件(ICCD)有优势，且由于可以采用n秒或p秒电子快门，更容易与激光照射系统构成新型的主-被动的微光成像系统。