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硅三极管对静电放电最敏感端对的试验研究

来源 :中国物理学会第十三届静电学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjt510

【摘 要】

：

试验发现高频低噪声硅晶体三极管对静电放电(ESD)电磁脉冲的最敏感端对是CB结,这一结果与大量参考资料中三极管ESD最敏感端对是EB结的理论不相符.针对这一问题,选取高频低噪

【作 者】

：

杨洁 祁树锋 刘红兵 刘尚合 

【机 构】

：

军械工程学院,静电与电磁防护研究所,石家庄,050003中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050000

【出 处】

：

中国物理学会第十三届静电学术年会

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

硅晶体三极管 静电放电 最敏感端对 

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试验发现高频低噪声硅晶体三极管对静电放电(ESD)电磁脉冲的最敏感端对是CB结,这一结果与大量参考资料中三极管ESD最敏感端对是EB结的理论不相符.针对这一问题,选取高频低噪声硅晶体三极管、低频小功率硅晶体三极管和低频大功率硅晶体三极管三类器件为样品,采用人体模型(HBM)静电放电(ESD)直接注入法分别对它们进行ESD最敏感端对的试验研究.

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