衬底温度对微晶硅薄膜结构的影响及其稳定性研究

来源 :第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ganxie123

【摘要】

：

本文采用VHF-PECVD 技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜样品。傅立叶变换红外吸收（FTIR）对制备薄膜进行了结构方面的测试分析。结果表明：随着衬底温度的升高,材料的微结构因子（R）逐渐增大,薄膜中氧含量也逐渐增加；同高衬底温度相比,低温（170℃）制备的材料易于后氧化，这说明低温制备材料的稳定性不好。

【作者】

：

张晓丹熊绍珍赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建周子彬侯国付耿新华

【机构】

：

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验

【出处】

：

第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛

【发表日期】

：

2004年10期

【关键词】

：

VHF-PECVD 微晶硅薄膜傅立叶变换红外吸收衬底温度薄膜结构

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