【摘 要】
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采用相场方法模拟了铁电薄膜中位错的存在对畴结构的影响。探讨了不同角度的正负位错对铁电薄膜单畴结构的不同影响及其机理。并结合试验,模拟了存在于90°畴中的位错对
【机 构】
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Key Laboratory of Low Dimensional Materials and Application Technology of Ministry of Education,Xian
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
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采用相场方法模拟了铁电薄膜中位错的存在对畴结构的影响。探讨了不同角度的正负位错对铁电薄膜单畴结构的不同影响及其机理。并结合试验,模拟了存在于90°畴中的位错对畴结构的影响。结果表明,在无位错的单畴结构的铁电薄膜中心加入一个负位错,会使得位错附近较小区域内的极化发生偏转。若此负位错旋转一定角度,比如30°(π/6 rad)、45°(π/4 rad)、60°(π/3 rad),会发现位错附近的极化偏转比位错不转动角度时的要明显得多,这可能是位错转动引起了极化的钉扎。并且发现在这三个角度中,60°时的极化翻转已经不再是位错两边对称了。
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