论文部分内容阅读
Microstructure dependence of leakage and resistive switching behaviors in Ce-doped BiFeO3 thin films
【机 构】
：
Key Laboratory of Magnetic Materials and Devices, Ningbo Institute of Material Technology and Engine
【出 处】
：
中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
：
2011年9期
其他文献
利用磁控溅射的方法分别在0.5wt％-Nb:SrTiO3(NSTO)单晶衬底上制备了Ag/NSTO)/Ag、Ti/NSTO/Ti 和Ti/NSTO /Ag 结构样品,并对他们的电学性能进行了表征.测试结果表明,在测量电压范围内,Ag 与NSTO 界面具有肖特基势垒,而Ti 与NSTO 之间为欧姆接触,Ti/NSTO /Ag 结构表现出了整流效应.
我们知道纵向的Goos-H(a)nchen 位移是由于光束在界面上的全反射形成的[1].这个现象首先在微波的实验中被Goos 和H(a)nchen 观察到[2].1970 年,有学者研究了相对狄拉克电子的量子Goos-H(a)nchen 位移和相关的横向Imbert-Fedorov 位移[3,4].
会议
Hg1-xMnxTe 是一种典型的窄禁带Mn 基Ⅱ-Ⅵ 族磁性半导体材料(Semimagnetic Semiconductors),并已应用在红外光电探测器、发光二极管和半导体激光器等应用领域[1-5],此外由于磁性Mn 离子的引入,Hg1-xMnxTe 还具有制备半导体自旋器件以及实现固态量子计算的潜在应用.
过渡性金属Mn 掺入Si 薄膜中称为稀磁半导体特性,使硅不仅具有电子的传输特性,还具有自旋特性,可用于制备各种电子自旋器件.研究发现一定范围内随着Mn 含量的增加,居里温度越来越高,可达室温.
会议
太赫兹(THz,1 THz=1012 Hz)量子器件具有体积小、易集成、寿命长、可靠性高等特点.THz量子级联激光器(THz QCL)[1]和量子阱探测器(THz QWP)[2]是其中的重要辐射源和探测器,是紧凑型THz 应用技术领域中不可或缺的两种器件.到目前为止,THz QCLs 在理论设计和实验研制上均取得了重大进展[3,4].