分子束外延是用超高真空淀积方式生长化合物半导体多层结构的技术,自60年代末由贝尔实验室发明以来,得到学术界及企业界的高度重视,几乎所有的研究化合物半导体的学校及研究所都装备了分子束外延设备,该技术对半导体量子阱,超晶格及异质结物理的研究做出了巨大贡献,并且许多微电子、光电子外延材料进入了产业化。分子束外延技术的发展使得超高真空技术应用达到了顶峰。在真空获得方面,在一台设备上面,同时配置了低温泵、离子泵、钛升华泵、涡轮分子泵及与特制冷阱配用的扩散泵,可获得优于5×10-11mbar的洁净真空。由于生产的需要,要求待生长的样品在0.5～1小时内,从大气传入1×10-10mbar的超高真空生长室内,至少需要二级空气隔离装置,这种全自动的多级传递装置,使得超高真空技术达到炉火纯青的程度。本报告将介绍我国的分子束外延技术发展的历史,介绍国际上该项技术的现状以及国内分子束外延材料产业化的进展,并对国内发展这类高技术产品存在的问题进行探讨。