【摘 要】
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随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法以及与之相关的一些前沿问题.
【机 构】
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华南理工大学应用物理系(广州五山) 信息产业部电子第五研究所(广州)
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
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随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法以及与之相关的一些前沿问题.
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