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目的:通过研究 Noth1基因在非小细胞肺癌细胞株 A549照射过程中的表达,探讨在放射抗拒细胞株形成中 Notch 信号通路的作用机制及 Notch1与 VEGF 的关系。方法:将平行的6瓶 A549细胞随机分为单纯照射组和照射+VEGF 抗体组, 每组3瓶。照射+VEGF 组在每次照射前加入一定浓度 VEGF 单克隆抗体。照射前利用克隆形成实验检测 A549的放射敏感性,流式细胞术检测对数生长期 A549的细胞周期特征,利用 RT-PCR 和 Western Blot 技术检测 A549细胞株 Notch1与 VEGF 基因和蛋白表达水平。然后应用 X 射线分别照射两组 A549细胞五次,每次吸收剂量 600cGy。每次照射后24小时检测 Notch1与 VEGF 基因和蛋白表达水平变化。五次照射完成后24小时检测 A549细胞株的放射敏感性以确认 A549细胞株放射抗拒的形成,同时检测 A549的细胞周期特征变化。利用直线回归和相关分别分析两组中 Notch1与照射剂量和 VEGF 表达的相关性。结果:单纯照射组中,照射后的 A549 细胞与照射前相比显示出明显放射抗拒性,其 DO、Dq 及 N 值增大,细胞存活曲线肩区增宽,在 SF2水平,照射后细胞的放射抗性是照射前的1.38倍。细胞周期 S 期比例较照射前明显增高(21.86% VS 10.18%),G1期比例下降(67.73% VS 82.52%), G2/M 比例变化不显著。Notch1在基因和蛋白水平随照射剂量增加表达均增强,经计算得出直线回归方程为:Notchl(mRNA)=0.0769(Dose)-0.1986,相关系数γ=0.9288, Notch1(protein)=0.0135(Dose)-0.0137,相关系数γ=0.8648,t 检验 P 均<0.05。统计学分析 Notch1与 VEGF 表达之间也具有相关关系,mRNA 和蛋白表达水平相关系数分别是γ=0.9041和γ=0.8663,t 检验 P 均<0.05。照射+VEGF 抗体组 A549细胞放射敏感性和细胞周期照射后无明显变化,VEGF 表达与照射剂量呈正相关,而 Notch1 表达在照射过程中无显著变化。结论:经过600cGy 的5次连续照射后 A549细胞系较照射前对射线更加抗拒,显示出与照射之前不同的细胞周期特征,而放射抗拒的形成和细胞周期的变化很可能与 VEGF 诱导的 Notch 信号通路激活有关。