论文部分内容阅读
上个世纪后期,以GaN,SiC为代表的宽带隙半导体材料研究的突破,高性能器件的问世,新技术新产业的形成,展现出宽带隙半导体材料的重要应用价值,有望突破第一代半导体材料Ge、Si和第二代以GaAs、InP为代表的化合物半导体材料光电子技术、信息电子技术和电力电子技术发展面临的"材料极限",并以其独特材料性能创新开拓社会发展迫切需求的新技术领域.