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本文针对国产CMOS电路存在的抗ESD水平不高的现状,通过对CMOS电路ESD失效样品的失效分析,找到了电路失效的关键部位,并对失效原因作了具体分析,提出了在输入/输出端口进行可靠性设计改进的技术,使CMOS电路的抗ESD能力达到2000V以上.
CMOS电路抗ESD可靠性设计
【摘 要】
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本文针对国产CMOS电路存在的抗ESD水平不高的现状,通过对CMOS电路ESD失效样品的失效分析,找到了电路失效的关键部位,并对失效原因作了具体分析,提出了在输入/输出端口进行可
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所分析中心
【出 处】
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第九届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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2001年期
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