从半导体表面的多相光催化机理分析,光催化反应的总量子效率是由两个关键过程决定:其一,光致电子和空穴的重新复合与被捕获的竞争;其二,被捕获的电子和空穴的重新复合与界面间电荷转移的竞争.因此,了解半导体表面的载流子捕获、转移及其寿命是非常必要的.半导体的光电导是指光照引起半导体电导率改变的现象,这种改变可以是电导率的增加,也可以是电导率的下降.一般说来,这是一个包括同时发生或相继发生的几种物理过程的复杂现象.这些物理过程包括光吸收和载流子的激发、热载流子弛豫、电荷载流子的迁移和复合等.因此最近几年有研究者将光电导技术引入半导体光催化研究领域,用于研究光照过程中半导体样品中载流子的产生、扩散、迁移、复合及界面转移等过程的速率与催化剂的光催化活性之间的关系.本文进一步研究催化剂表面过程与光催化活性之间的关系,这对研究光催化反应机理具有重大的意义。