一种基于液相法的原位合成和沉积高质量Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜的方法

来源 :第十四届全国青年材料科学技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanwensen
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  胶体纳米晶具有类似溶液的可操作性,禁带宽度的可调性以及具有潜在应用价值的多激子激发效应,这些都使得纳米晶在太阳电池领域显示出巨大的应用潜力。
其他文献
立方NaZn13 结构La(Fe,Si)13 系化合物由于其好的软磁性、大磁熵变及低廉价格在众多具有应用前景的磁制冷材料中备受瞩目。然而,La(Fe,Si)13 三元合金居里温度普遍较低,需要通过元素替代或者渗氢处理提高其居里温度,从而达到室温使用的要求[1-2]。此外,La(Fe,Si)13 系化合物的大磁熵变得益于一级相变伴随的结构和磁双重变化。而其一级相转变特性导致其在磁化和退磁过程中存在明
最近,等径角挤压技术被用来细化TiNi 基合金的晶粒.2002 年Pushin 等人最早利用该技术将TiNi 合金在400℃ 挤压8 道次,发现晶粒尺寸自50-80 μm 细化至0.2-0.3 μm [1].自此以后,有关等径角挤压处理TiNi 基合金的研究逐渐受到研究者的重视.相关的研究主要集中在以下几个方面:等径角挤压工艺[2]、显微组织演化[3]、马氏体相变行为[4 ]与力学行为和形状记忆效
NiTi 形状记忆合金因具有优异的形状记忆效应和超弹性已得到广泛应用,其可观的机械阻尼性能也引起了地震等领域的关注.通过固溶其它元素或引入第二相对NiTi 记忆合金性能进行优化一直是研究热点.经熔炼、锻造及拔丝制备了成分源于Ni48Ti46Nb3W3(at.%)的W/NiTi(Nb)形状记忆合金原位复合材料,利用扫描电镜、能谱仪、X 射线衍射仪及拉伸试验机研究了其微观组织结构与力学性能.结果表明,
本文采用短切碳纤维掺杂[1]、闭孔发泡、模塑成型工艺制备聚氨酯泡沫吸波材料[2-5],研究了复合材料的物理性能、热性能、吸波性能[6]与短碳纤维填充量之间的关系,分析了影响泡沫吸波材料吸波性能的主要因素。结果表明:聚氨酯原料的弹性模量和粘度随着泡沫聚氨酯生成反应的进行先缓慢增大,之后急剧增加,最后缓慢增加。吸波材料与自由空间接触的表层材料的性质对材料吸波性能有较大的影响,泡沫材料与自由空间阻抗的匹
Ni-Fe-Ga 铁磁形状记忆合金由于可以析出适量的韧性第二相(γ 相),从而显著提高了此类材料的韧性.本文采用实验与第一原理计算相结合的方法,揭示了Ni50+xFe25-xGa25(x=0,1.5,3,4.5,6)合金的晶体结构和磁性能随合金成分变化的规律.VSM 实验结果表明,随Ni 含量的增加,合金的饱和磁化强度和剩余磁化强度都呈下降趋势.同时,采用第一原理计算表明Ni 的原子磁矩显著低于F
新型Au-Cu-Zn 系金基合金真空溅射靶材研制过程中,研究了脉冲磁场对金基合金凝固组织和溶质元素分布的影响。 结果表明:脉冲磁场可以有效地降低凝固组织的枝晶化程度;均匀各溶质元素在金基合金基体内的分布,抑制金与合金元素之间由于熔点、比重差大等原因,所导致的合金溶质元素的宏观和微观偏析。
在磁致伸缩执行器设计中,偏置磁场是一个重要部分。偏置磁场可将超磁致伸缩材料(GMM)工作区间设置在性能曲线的线性区域中点,避免交流信号驱动GMM 时的倍频效应。而只有在GMM 中均匀分布的偏置场才能保证其性能的充分发挥。在磁致伸缩器件设计中,偏置磁场的施加一般参照几种典型形式,但实际应用中GMM 的规格尺寸各异,要想获得均匀分布的偏置磁场,必须针对具体情况选择其适用的形式并加以优化。本文通过建立磁
目前很多研究已经涉及到了医用药物引起的环境问题,已调查到的一些药物和个人护理产品转移到环境中,形成了一定的环境污染。而大部分的药物研究仅限于抗生素四环素、环丙沙星和磺胺类药物。有关扑尔敏的研究相对较少。本文研究了蒙脱石对扑尔敏的去除作用。着重探讨了溶液pH 值、溶液中扑尔敏的初始浓度、吸附时间、吸附温度对扑尔敏吸附去除量的影响。通过测定扑尔敏交换出的可交换阳离子的量,研究蒙脱石层间电荷对吸附量的影
采用化学合成及压片烧结制备Ba1-x(Na0.5Bi0.5)xZr0.1Ti0.9O3 陶瓷,研究了Bi Na掺杂对BaZr0.1Ti0.9O3 陶瓷烧结温度、显微结构、介电和铁电性能的影响.实验结果显示,随着Bi Na 含量的增加能降低陶瓷的烧结温度.介电性能表明,陶瓷的介电损耗随Bi Na 掺杂量的增加,呈增加趋势,而相对介电常数则表现出无规律的变化,当x=0.05 时,相对介电常数由未掺杂的
本文采用不同锌源(氧化锌及碱式碳酸锌)利用高温固相法在相同烧结温度下制备了ZnGa2O4.通过XRD、激发光谱、发射光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线等实验手段对不同锌源生成的ZnGa2O4 样品进行表征.实验结果表明,不同锌源的ZnGa2O4 荧光性质不同.以氧化锌为锌源制备的ZnGa2O4,其发射峰由三个峰组成,峰值分别位于362 nm,504 nm 和704 nm.而以碱式碳酸锌为锌源制备的Z